電子轟擊電荷耦合器件（EBCCD）是圖像增強器和CCD攝像機是為在非常低的光水平成像的標本在熒光顯微鏡下可使用的混合體。 在該裝置中，光子被類似于在圖像增強器的光電檢測。 所釋放的電子被跨越的薄型背照式CCD的背面?zhèn)鹊拈g隙和沖擊加速。

這些高能電子產(chǎn)生多電荷在CCD上產(chǎn)生幾百溫和上升。 圖1示出的電子轟擊在CCD的光電子加速由高電壓梯度（1.5?2.0千伏特），直接影響到背照式CCD于視頻速率操作的設(shè)計。

該設(shè)備的過度冷卻，慢掃描CCD的優(yōu)點是附加的增益和相應(yīng)的速度。 EBCCDs也表明，由于在CCD讀出的設(shè)計改進，片上集成的能力，并為各種讀出速率和格式，如選擇無顯著幾何失真或著色，相對低噪音（40電子/像素）分級和抽樣。 的主要缺點是光電的下量子效率（30％）相比，該未修飾的薄型背照式CCD（80％至90％）和相比于單獨的薄型背照式CCD的調(diào)制傳遞函數(shù)的一個顯著退化（參見圖2）。（本文來源：奧林巴斯顯微鏡成像，什么是EBCCDs？）

該EBCCD的動態(tài)范圍的限制，也增加了增益的結(jié)果。 這是因為每個光電子產(chǎn)生約300電子/空穴對造成孔填比起普通的CCD快300倍。 其結(jié)果是，具有全阱容量為15萬的電子的CCD是完全由僅500光子填充。

相比，增強型CCD，電子轟擊CCD通常具有更高的空間分辨率和更好的信號 - 噪聲比在中等光照水平，但有限的增益調(diào)整范圍和適度的低光量的檢測能力使EBCCD固狀態(tài)相當于過時的硅增強靶（SIT）的相機。